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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃,张金风,张进成著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃,张金风,张进成 / 科学出版社 / 2024-12 / 精装
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作者 郝跃、张金风、张进成 著
出版社 科学出版社
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装帧 精装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃//张金风//张进成|责编:朱雪玲|总主编:夏建白 / 科学 / 2013-01 / 精装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃,张金风,张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 精装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃,张金风,张进成 / 科学出版社 / 2023-07 / 精装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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郝跃、张金风、张进成 著 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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本书以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了III族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,Al-GaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性
郝跃,张金风,张进成 / 科学出版社 / 2013-01 / 平装
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